lpddr4x和lpddr4的區(qū)別,lpddr4x和lpddr5實(shí)測(cè)？很多人不了解，今天各百科為大家?guī)硐嚓P(guān)內(nèi)容，下面小編為大家整理推薦。
1.不同的傳輸速率
另外速度從3200MT/s提升到4266MT/s(不含OC)。這是因?yàn)楦斓腎/O總線時(shí)鐘(1600MHz至2134MHz)和內(nèi)存陣列(200-266.7MHz)。命令和地址總線保留了6位SDR空間。最后，它占用更少的片上空間，單個(gè)封裝可以包含高達(dá)12GB的DRAM。缺點(diǎn)是，LPDDR4X不能向后兼容LPDDR4。即使該設(shè)備與更快的LPDDR R4內(nèi)存兼容，它也可能不適合LPDDR4X。
LPDDR4的輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)3200Mbps。LPDDR4X采用超薄高級(jí)封裝，提供與LPDDR4相同的速度，同時(shí)加快多任務(wù)處理速度，優(yōu)化用戶體驗(yàn)。
2.不同功耗
類似于DDR5降低電壓和功耗的方式，LPDDR4X也有同樣的功能。它將I/O電壓降低了50% (1.12至0.61v)，從而大大降低了內(nèi)存和內(nèi)存控制器的功耗。
與LPDDR3相比，LPDDR4的低功耗解決方案降低了37%的功耗。LPDDR4X的優(yōu)秀節(jié)能解決方案在性能上比超快LPDDR4進(jìn)一步提升，能耗比LPDDR4降低17%。
總而言之：
LPDDR4X可以算是LPDDR4的節(jié)能優(yōu)化版。它與LPDDR4具有相同的頻率、帶寬和工作電壓。唯一不同的是封裝上電源引腳的設(shè)計(jì)和測(cè)試規(guī)格不同，功耗優(yōu)化。簡(jiǎn)而言之，LPDDR4X內(nèi)存是LPDDR R4的優(yōu)化版本，節(jié)省能源。耗電量減少10-20%左右，更有利于省電。
LPDDR5與LPDDR4X?相比如何
LPDDR4
總線頻率1600-2133Mhz，架構(gòu)86x，電壓1.8/1.1/1.1V。
LPDDR4X
總線頻率2133Mhz，架構(gòu)64x和86x，電壓1.8/1.1/0.6V。
LPDDR5
數(shù)據(jù)速率3200Mhz，架構(gòu)64x，電壓1.8/1.05/0.9/0.5v。
在數(shù)據(jù)傳輸方面，新的LPDDR R5比LPDDR4x快1.5倍左右。LPDDR5的傳輸速度為51.2 Gbps，頻率為6,400 Mbps。
LPDDR4和LPDDR4x采用32位雙通道架構(gòu)(2 x 16位)進(jìn)行改進(jìn)。LPDDR5將移回到單個(gè)16位通道，但每個(gè)通道中的存儲(chǔ)體數(shù)量增加到2倍。LPDDR4X只支持單銀行組，而LPDDR R5支持多銀行組模式。這里可以理解為，數(shù)據(jù)傳輸從單通路變成了多通路，進(jìn)一步提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挕?/p>
因?yàn)殚W存比CPU慢很多。為了提高速度和防止這個(gè)瓶頸，DRAM使用了一種叫做預(yù)取緩沖器的技術(shù)。增加緩沖區(qū)大小可以進(jìn)一步提高性能。而且三星的LPDDR5使用了和LPDDR4一樣的16位預(yù)取緩沖區(qū)。為了提高數(shù)據(jù)速率，LPDDR5使用存儲(chǔ)區(qū)域分組，這與LPDDR4相同。
在功耗方面，由于降低的電壓和LPDDR5的新節(jié)能功能，如DVFS、深度睡眠模式、DQ復(fù)制和WriteX，LPDDR5的功耗降低了45%。
此外，LPDDR R5價(jià)格昂貴。目前只有高端旗艦手機(jī)使用LPDDR R5，大部分還是使用LPDDR4X。但是隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，LPDDR R5正逐漸取代LPDDR4X。
簡(jiǎn)單來說，LPDDR5有三大優(yōu)勢(shì)，即多通道銀行組架構(gòu)、速率跨越式升級(jí)高達(dá)50%的性能提升、超低功耗。目前LPDDR5有好有壞，但對(duì)手機(jī)性能影響不大，所以用LPDDR4x的朋友不要急著換LPDDR5。
