手機lpddr4x和lpddr5 手機lpddr4x和lpddr5有什么區(qū)別？很多人不了解，今天各百科為大家?guī)硐嚓P(guān)內(nèi)容，下文是小編給大家?guī)淼慕榻B。

隨著英特爾第12代酷睿處理器的推出，支持DDR5內(nèi)存的600系列主板也已經(jīng)到來。第一個支持DDR5內(nèi)存的是Z690芯片組。然而，英特爾并沒有對新一代600系列主板采取一刀切的方式。而是分為DDR4和DDR5兩個版本的Z690主板。用戶可以根據(jù)個人需要選擇內(nèi)存方案。當(dāng)然，不排除后期會有廠商推出支持DDR4和DDR5內(nèi)存的主板。但是由于DDR5內(nèi)存剛剛上市，無論是支持DDR5的主板還是DDR5內(nèi)存都比較貴，上市初期最便宜的16G DDR5 4800MHz頻率也就千元左右。那么內(nèi)存DDR5和DDR4有什么區(qū)別呢？下面分享一下DDR4和DDR5內(nèi)存的性能差距對比。

DDR5 5內(nèi)存

內(nèi)存DDR5和DDR4的區(qū)別是什么？

1、內(nèi)存頻率

與DDR4相比，DDR5的頻率提高了一倍！DDR4剛上市的時候，主流內(nèi)存頻率一般只有2133和2400MHz。后來內(nèi)存頻率進(jìn)一步提高到2666Mhz以上。目前旗艦DDR4內(nèi)存頻率可以達(dá)到4266MHz以上。在上市之初，DDR5內(nèi)存的啟動頻率為4,800 MHz，基本達(dá)到了DDR4內(nèi)存的極限。除了4,800 MHz，DDR5內(nèi)存還發(fā)布了5200MHz和6400MHz的更高頻率，未來可能會更高。

2、工作電壓

R5的能耗比比DDR5高4！DDR4的工作電壓為1.2V，而DDR5的工作電壓降至1.1V，功耗降低8%，意味著更省電更節(jié)能。

3、PMIC電源管理芯片

DDR4內(nèi)存的PMIC電源管理芯片集成在主板上，DDR5也將PMIC電源管理芯片從主板集成到內(nèi)存PCB板上。它是智能電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的大腦，可以監(jiān)控電流，促進(jìn)電壓斜坡和電平的可配置性，減輕主板電源管理的負(fù)擔(dān)。

4、單芯片密度

R5單芯片密度高，單顆16GB，而DDR4單顆只有4GB容量，所以DDR4的內(nèi)存容量會更大。單個內(nèi)存達(dá)到256G甚至512G都很正常。但是在消費級市場，目前的內(nèi)存需求還沒有達(dá)到這么大的程度，可能更多的是用在高端消費級。

5、接口不同

DDR4和DDR5在防啞口的位置略有變化，說明兩者不兼容。要支持DDR5內(nèi)存，主板必須配備DDR5插槽才能兼容DDR5內(nèi)存，所以不能在DDR4插槽使用。

6、帶寬速度

內(nèi)存帶寬傳輸速度不同。以DDR4 3200頻率為例，帶寬為25.6GBps，而DDR5 4800頻率的帶寬為38.4GBps

7、ECC內(nèi)存糾錯機制

在DDR5存儲器中加入了ECC的糾錯功能，但這個Ecc并不是另一個Ecc，只是在DDR5中加入了On-die Ecc的糾錯功能，可以理解為低版本的Ecc。片上ECC只能糾正存儲器內(nèi)部的錯誤，而通常提到的ECC通常有額外的粒子分配給Ecc功能，可以糾正操作期間通信中的錯誤。DDR5內(nèi)存中的ECC功能主要是提高內(nèi)存的穩(wěn)定性，降低藍(lán)屏的概率。

8、單根組建雙通道？

我們知道，兩個DDR4內(nèi)存可以形成雙通道，但是DDR5中的根內(nèi)存可以實現(xiàn)雙通道。通過CPU-Z檢測，如果插入一個DDR5內(nèi)存，通道數(shù)可以識別為雙通道，但不是全雙通道，可以理解為偽雙通道。我們可以理解為原來的DDR4內(nèi)存只有一個64位通道傳輸數(shù)據(jù)，有兩個2x 64位的通道，而DDR5內(nèi)存被拆分成兩個32位，從而達(dá)到一內(nèi)存兩通道的效果。當(dāng)然，要達(dá)到兩個通道的真正理想值，就需要使用兩個存儲器。

9、時序

DDR4-2666的時序一般在CL17-CL19，DDR5-4800一般都有。

的時序一般是CL40，時序越高說明延遲越高，初期的DDR5可能在內(nèi)存延遲上并不如意，不過頻率暴增后不少數(shù)據(jù)依然會相比DDR4略強。其實這其實算是常態(tài)了，DDR3升級DDR4的時候，也有時序變高的問題，DDR4時序基本在CL17-CL19，相比DDR3的CL6-CL11，延遲也高了一些。

10、XMP3.0技術(shù)

XMP3.0技術(shù)是intel針對DDR5內(nèi)存一鍵超頻的技術(shù)，相對于XMP 2.0技術(shù)，最新的XMP 3.0技術(shù)具備了5個配置文件，其中這5個配置文件包括了3個固定配置和2個玩家自定義的配置，其名稱可修改，且模塊上電壓可控，目前已經(jīng)有廠商推出了可視化的超頻軟件，超頻門檻大大下降，小白也能享受到超頻的樂趣。

DDR4和DDR5內(nèi)存的性能差距對比

為了更好的讓大家了解DDR4和DDR5內(nèi)存性能差異，i9-12900K分別采用（Z690 DDR4版本主板+2根16G DDR4 3600頻率內(nèi)存）和 （Z690 DDR5版本主板+2根16G DDR5 5200頻率內(nèi)存）進(jìn)行測試，并分別使用CPU-Z、ChineBench R20以及3DMark Time Spy以及游戲幀數(shù)實測。

1、CPU-Z基準(zhǔn)性能測試

采用DDR5內(nèi)存相比DDR4內(nèi)存，在CPU-Z基準(zhǔn)測試中，CPU單線程性能基本沒有任何提升，多線程性能也只略有提升，分?jǐn)?shù)僅有200分左右的差距。

　　

2、ChineBench R20測試

在ChineBench R20渲染測試中，與CPU-Z測試的相似，DDR5相比DDR4內(nèi)存在CPU單線程測試下基本持平，DDR5在CPU多線程跑分中僅多出了200分左右，性能提升并不大。

　　

3、3DMark Time Spy測試

通過3DMark Time Spy我們更直觀的看出，DDR5對顯卡基本沒有提升，主要是對CPU性能有一定的提升，結(jié)合以上的CPU-Z、ChineBench R20測試，準(zhǔn)確來說，DDR5對CPU多線程有一定的提升，但是提升有限，微乎其微。

　　

4、游戲性能測試

至于DDR4和DDR5玩游戲差距，我們分別采用了DDR4和DDR5內(nèi)存對游戲進(jìn)行測試，使用RTX3060Ti顯卡在2K高畫質(zhì)下，來看看游戲幀數(shù)有多大提升。通過測試得出結(jié)論，采用DDR5相比DDR4內(nèi)存在游戲幀數(shù)上會略有提升，少則1-5幀，多則10多幀。

　　

總結(jié)：

DDR5相比DDR4在頻率與帶寬上有著大幅提升，并且進(jìn)一步對功耗降低，加入了On-die Ecc同時也提高了內(nèi)存的穩(wěn)定性，但是唯一的缺點就是時序高，延遲高，畢竟DDR5還屬于初期產(chǎn)品，還需要一定的優(yōu)化過程。通過以上的測試，DDR5內(nèi)存對CPU多線程有一定的提升的，對獨顯基本沒有提升，但是由于DDR5內(nèi)存頻率高，所以對游戲幀數(shù)是有一定的提升，或許核顯上表現(xiàn)會更好。

現(xiàn)階段裝機，如果想要更好的裝機性價比，個人還是建議完全成熟的DDR4內(nèi)存，畢竟支持DDR5的主板和DDR5內(nèi)存自身都比較偏貴，給裝機帶來更多成本，并且目前無論是游戲還是系統(tǒng)優(yōu)化上都還不夠，性能提升也是很小，當(dāng)然對于有錢任性且追求新產(chǎn)品，那么直接上DDR5平臺。