本篇文章給大家談?wù)剝?nèi)存的性能指標(biāo)，以及怎么看內(nèi)存頻率對(duì)應(yīng)的知識(shí)點(diǎn)，希望對(duì)各位有所幫助，不要忘了收藏本站喔。

內(nèi)存的主要性能和指標(biāo)有哪些?

內(nèi)存的性能指標(biāo)包括存儲(chǔ)速度、存儲(chǔ)容量、CAS延遲時(shí)間、內(nèi)存帶寬等，下面對(duì) 他們進(jìn)行一一介紹

1、存儲(chǔ)速度

內(nèi)存的存儲(chǔ)速度用存取一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時(shí)間越短，速度就越快。目前，DDR內(nèi)存的存取時(shí)間一般為6ns，而更快的存儲(chǔ)器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、 3.3ns、 2.8ns、 等。

2、存儲(chǔ)容量

目前常見的內(nèi)存存儲(chǔ)容量單條為128MB、256MB、512MB，當(dāng)然也有單條1GB的，內(nèi)存，不過其價(jià)格較高，普通用戶少有使用。就目前的行情來看，配機(jī)時(shí)盡時(shí)使用單條256MB以上的內(nèi)存，不要選用兩根128MB的方案。 提示：內(nèi)存存儲(chǔ)容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB

3、CL

CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時(shí)間，是指內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，是在一定頻率下衡量不同規(guī)范內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。對(duì)于PC1600和PC2100的內(nèi)存來說，其規(guī)定的CL應(yīng)該為2，即他讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間是兩個(gè)時(shí)鐘周期。也就是說他必須在CL=2R 情況下穩(wěn)寰工作的其工作頻率中。

4、SPD芯片

SPD是一個(gè)8針256字節(jié)的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器) 芯片.位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè), 里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，計(jì)算機(jī)的BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息。

5、奇偶校驗(yàn)

奇偶校驗(yàn)就是內(nèi)存每一個(gè)字節(jié)外又額外增加了一位作為錯(cuò)誤檢測(cè)之用。當(dāng)CPU返回讀顧儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)時(shí)，他會(huì)再次相加前8位中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)相一致。當(dāng)CPU發(fā)現(xiàn)二者不同時(shí)就會(huì)自動(dòng)處理。

6、內(nèi)存帶寬

從內(nèi)存的功能上來看，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或倉(cāng)庫。顯然，內(nèi)存的存儲(chǔ)容量決定“倉(cāng)庫”的大小，而內(nèi)存的帶決定“橋梁的寬窄”，兩者缺一不可。 提示：內(nèi)存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表于存儲(chǔ)器時(shí)鐘頻率、D表示存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)總線位數(shù)，則帶寬B=F*D/8

如常見100MHz的SDRAM內(nèi)存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒

常見133MHz的SDRAM內(nèi)存的帶寬133MHz*64bit/8=1064MB/秒

內(nèi)存的主要性能指標(biāo)是什么？

1、內(nèi)存容量

DDR2受限于當(dāng)時(shí)主板支持的內(nèi)存容量，家用級(jí)別DDR2內(nèi)存的最大容量為單條4GB。而家用級(jí)別的DDR3內(nèi)存則受限于制造工藝，它的最大容量為單條8GB。內(nèi)存低于1GB左右，將影響Win7/8操作系統(tǒng)的響應(yīng)速度，且不同軟件、游戲應(yīng)用環(huán)境對(duì)內(nèi)存容量要求不一。

2、內(nèi)存頻率

DDR2與DDR3采用雙倍數(shù)據(jù)速率（Double Data Rate）技術(shù)。DDR2內(nèi)存的起步頻率為400MHz，最高可達(dá)到DDR2-1066甚至DDR2-1200MHz；DDR3內(nèi)存起步頻率為800MHz，甚至可達(dá)到2666+的頻率。

3、時(shí)序

時(shí)序表示內(nèi)存完成一項(xiàng)工作所需要的時(shí)間周期，時(shí)間越長(zhǎng)，則表示執(zhí)行效率越低。DDR2內(nèi)存的時(shí)序?yàn)镃L5/CL6，DDR3內(nèi)存則為CL9/CL11。整體而言，內(nèi)存的時(shí)序呈現(xiàn)頻率越高，內(nèi)存延遲越大。

擴(kuò)展資料：

效能提高的其他手段

1、多通道（Channel）

現(xiàn)代內(nèi)存控制器都從北橋移入CPU內(nèi)部，而且內(nèi)存控制器都可以同時(shí)操作多個(gè)通道。典型的臺(tái)式機(jī)和筆記本CPU很早就支持雙通道，現(xiàn)在還加入了三通道。如果數(shù)據(jù)分布在插在不同的通道上的內(nèi)存條上，內(nèi)存控制器可以不管上面的延遲、時(shí)序，同時(shí)可以讀取他們。

2、內(nèi)存（Overclock）

內(nèi)存超頻與CPU一樣，都受本身體質(zhì)的影響。對(duì)于內(nèi)存條來說，所謂的“體質(zhì)”就是指使用的什么內(nèi)存顆粒。通過在主板的BIOS里面調(diào)整內(nèi)存的各項(xiàng)參數(shù)，能深度挖掘出內(nèi)存的潛力。

參考資料來源：中關(guān)村在線——要下崗? 評(píng)5年前DDR2老機(jī)能否玩轉(zhuǎn)Win8

內(nèi)存的三大項(xiàng)參數(shù)包括哪些

內(nèi)存的三大項(xiàng)參數(shù)包括：

1、容量。內(nèi)存的容量當(dāng)然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條DDR內(nèi)存的容量有128MB、256MB、512MB、1GB和2GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個(gè)內(nèi)存插槽，若安有多條內(nèi)存，則電腦內(nèi)存的總?cè)萘渴撬袃?nèi)存容量之和。

2、tCK時(shí)鐘周期。tCK時(shí)鐘周期代表內(nèi)存所能運(yùn)行的最大頻率，一般用存取一次數(shù)據(jù)所需的時(shí)間（單位為ns，納秒）作為性能指標(biāo)，時(shí)間越短，速度越快。

一般內(nèi)存芯片型號(hào)的后面印有－60、－10和－7等字樣，表示存取速度為60ns、10ns和7ns。SDRAM內(nèi)存速度最高可達(dá)7ns，DDR內(nèi)存更是達(dá)到了5ns。

3、CAS延遲。簡(jiǎn)稱CL，指內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，也就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。

擴(kuò)展資料：

內(nèi)存類型有DDR、DDR2、DDR3、DDR4，目前主流是DDR3和DDR4的類型，不同的類型頻率不同，電壓不同，針腳數(shù)不同，接口位置也不同。在選購(gòu)內(nèi)存條的時(shí)候需要確認(rèn)主板上面的是支持DDR哪一代，因?yàn)樗鼈兊慕涌谕耆灰粯印?/p>

內(nèi)存的ECC校驗(yàn)與傳統(tǒng)的奇偶校驗(yàn)類似，不同的是ECC能糾正絕大多數(shù)檢測(cè)到的錯(cuò)誤，奇偶校驗(yàn)則不行，這樣系統(tǒng)就能在不中斷和不破壞數(shù)據(jù)的情況下繼續(xù)進(jìn)行，為服務(wù)器和工作站的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有利條件。

硬盤和內(nèi)存?它們各有什么性能指標(biāo)

硬盤的性能指標(biāo)：

一、容量

作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，容量是硬盤最主要的參數(shù)。

硬盤的容量以兆字節(jié)（MB）或千兆字節(jié)（GB）為單位，1GB=1024MB。但硬盤廠商在標(biāo)稱硬盤容量時(shí)通常取1G=1000MB，因此我們?cè)贐IOS中或在格式化硬盤時(shí)看到的容量會(huì)比廠家的標(biāo)稱值要小。

二、轉(zhuǎn)速

轉(zhuǎn)速(Rotationl Speed 或Spindle speed)，是硬盤內(nèi)電機(jī)主軸的旋轉(zhuǎn)速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內(nèi)所能完成的最大轉(zhuǎn)數(shù)。轉(zhuǎn)速的快慢是標(biāo)示硬盤檔次的重要參數(shù)之一，它是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，在很大程度上直接影響到硬盤的速度。

三、平均訪問時(shí)間

平均訪問時(shí)間(Average Access Time)是指磁頭從起始位置到達(dá)目標(biāo)磁道位置，并且從目標(biāo)磁道上找到要讀寫的數(shù)據(jù)扇區(qū)所需的時(shí)間。

內(nèi)存條性能的主要技術(shù)指標(biāo)是：

一、速度

內(nèi)存條的速度一般用存取一次數(shù)據(jù)的時(shí)間(單位一般用ns)來作為性能指標(biāo)，時(shí)間越短，速度就越快。普通內(nèi)存速度只能達(dá)到70ns～80ns，EDO內(nèi)存速度可達(dá)到60ns，而SDRAM內(nèi)存速度則已達(dá)到7ns。

二、容量

內(nèi)存條容量大小有多種規(guī)格，早期的30線內(nèi)存條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO內(nèi)存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內(nèi)存大多為16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。圖5-1是一款獨(dú)特的64MB內(nèi)存條。

三、奇偶校驗(yàn)

為檢驗(yàn)存取數(shù)據(jù)是否準(zhǔn)確無誤，內(nèi)存條中每8位容量能配備1位作為奇偶校驗(yàn)位，并配合主板的奇偶校驗(yàn)電路對(duì)存取的數(shù)據(jù)進(jìn)行正確校驗(yàn)。不過，而在實(shí)際使用中有無奇偶校驗(yàn)位，對(duì)系統(tǒng)性能并沒有什么影響，所以目前大多數(shù)內(nèi)存條上已不再加裝校驗(yàn)芯片。

擴(kuò)展資料：

硬盤分為固態(tài)硬盤、機(jī)械硬盤。

區(qū)別如下：

1、工作原理不同：

固態(tài)硬盤是以半導(dǎo)體狀態(tài)做記憶介質(zhì)，機(jī)械硬盤是以磁做記憶介質(zhì)的。

2、讀寫速度差別很大：

由于固態(tài)硬盤是半導(dǎo)體做記憶介質(zhì)的，所以比機(jī)械硬盤的讀寫速度快得很多。

3、安全級(jí)別相差很大：

固態(tài)硬盤是以半導(dǎo)體做記憶介質(zhì)的，所以比機(jī)械硬盤抗震動(dòng)和抗摔，完全性更高。

參考資料來源：百度百科-硬盤

參考資料來源：百度百科-內(nèi)存