今天凡太百科給各位分享ddr5內(nèi)存條的知識，其中也會對ddr5內(nèi)存條天梯圖進(jìn)行解釋，如果能碰巧解決你現(xiàn)在面臨的問題，別忘了關(guān)注本站，現(xiàn)在開始吧！

DDR5才是原配，一根要比兩根強(qiáng)？威剛D5內(nèi)存上手分享

現(xiàn)在DIY圈子簡直太熱鬧了，Intel第12代CPU發(fā)布之后，10代和11代依舊在產(chǎn)，內(nèi)存也正在經(jīng)歷D4到D5的過渡，各大OEM廠商推出的Z690版型都有D4和D5兩個版本。

該如何下手？答案很簡單，如果你不追求極致性能，怎么便宜怎么來，應(yīng)該說從Intel推出8代U后，性能提升并沒有太明顯，直到第12代推出后才出現(xiàn)一次性能飛躍。

如果你很幸運搶到了一塊第12代CPU，比如我，搶到了一塊i9-12900K，那就別跟我說什么D4主板了，必須DDR5伺候，哪怕上一根，也必須D5主板。

在i9-12900K到手后，就滿市場找DDR5內(nèi)存，今天就讓這兩條威剛?cè)f紫千紅系列的DDR5內(nèi)存亮亮相，默認(rèn)4800頻率，兩根16GB共32GB組成雙通道。

為了入手這兩根DDR5內(nèi)存可是費了不少功夫，畢竟現(xiàn)在一條難求，今天也是給糾結(jié)D5主板還是D4主板的玩家做一個試水，看看DDR5內(nèi)存的提升有多大。

威剛D5內(nèi)存簡評：

在包裝方面，雖然身為高貴的DDR5內(nèi)存，但是威剛還是延續(xù)了傳統(tǒng)設(shè)計，只有通過左下角可以看到，這就是戰(zhàn)未來的DDR5內(nèi)存套條。

迫不及待拆開包裝，威剛DDR5內(nèi)存的真容就在眼前了，在外觀上，金手指的變化無需多言，主要是內(nèi)存上面多了很多芯片。

這些芯片就是內(nèi)存的電源管理IC，原來D4內(nèi)存的電源管理IC都是通過CPU和主板控制，以后D5的電源控制芯片都集成在內(nèi)存條本體上，成本提升了，但內(nèi)存的電源控制更精準(zhǔn)，也更考驗各家OEM廠商的调教。

至于眾多玩家關(guān)注的性能提升，這條威剛D5內(nèi)存的等效頻率達(dá)到4800MHz，這還只是等效頻率，沒有算XMP超頻后的頻率。在D4內(nèi)存上，最高的等效頻率不過3200MHz，而這正是D5內(nèi)存的起點，頻率更高，性能的提升自然肉眼可見。

更厲害的是，頻率雖然高了，但工作電壓反而更低，D5內(nèi)存的工作電壓只有1.1V，相比D4內(nèi)存的1.2V低了0.1V，看似不高，但如果用在筆記本上，對功耗還是有影響。

關(guān)于影響內(nèi)存性能的因素中，除了頻率之外，另外一個就是帶寬，直接影響因素就是雙通道、單通道對帶寬的影響。

在D5內(nèi)存中，傳統(tǒng)意義的單通道內(nèi)存將消失，因為單條D5內(nèi)存就將位寬由64bit切割成32bit*2，換而言之就是單條D5內(nèi)存自帶“雙通道”。不過需要明確的是，單條D5內(nèi)存只會激活一個內(nèi)存控制器，所以這個”雙通道“和D4雙通道在性能上還是有差距。

但是，如果同容量的兩條D5內(nèi)存與兩條D4內(nèi)存相比，帶寬可以提高4倍之多，這對讀寫性能的影響非常大。

在D5內(nèi)存中，還有一個東西會消失，就是8GB以及以下容量的內(nèi)存條。D5內(nèi)存的單條起點容量就是16GB，這次入手的兩條威剛D5內(nèi)存是16GB*2，因為架構(gòu)的變化，D5內(nèi)存的單Die容量是D4的4倍之多。

在不遠(yuǎn)的未來，64GB的內(nèi)存容量應(yīng)該會成為DIY游戲主機(jī)的標(biāo)配，32GB也會變成輕薄筆記本內(nèi)存的標(biāo)配。

說了這么多，還是要裝機(jī)實際測試一下才能知道性能如何，使用的主板同樣是尊貴的微星MEG Z690 UNIFY，對這兩條威剛的萬紫千紅D5內(nèi)存可以完美支持。

性能測試：

▼開機(jī)后查看了一下系統(tǒng)占用，i9-12900K的默認(rèn)頻率維持在4.75Ghz，內(nèi)存占用為5.5GB，內(nèi)存頻率是默認(rèn)的4800MHz。

▼查看內(nèi)存的詳細(xì)信息，CPU-Z的版本是1.97.0，在這個版本下依舊識別出來是四通道，威剛的萬紫千紅DDR5內(nèi)存最高頻率為4800，在默認(rèn)頻率下的時許為42-40-40-77。

▼在4800MHz頻率進(jìn)行一個簡單的跑分，讀取速度已經(jīng)達(dá)到75000MB/s的程度，寫入性能也接近70000MB/s，相較于D4內(nèi)存提升明顯，不過延遲偏高也是現(xiàn)在所有D5內(nèi)存的一個問題。

▼雖然在默認(rèn)頻率下性能已經(jīng)非常強(qiáng)，但不超頻確實有些浪費，開啟XMP，頻率自動提高到5200MHz，時許變?yōu)?8-38-38-77。

▼在5200MHz頻率下再跑一次，讀取速度已經(jīng)突破80000MB/s，寫入速度和拷貝速度均達(dá)到75000MB/s的水準(zhǔn)，延遲也降低到80.5ns。

生產(chǎn)力軟件測試：

▼打開lightroom進(jìn)行日常的編輯工作，i9-12900K雖然是一顆新CPU，但是調(diào)度非常積極，頻率可以輕松跑在4.66Hz，內(nèi)存占用也來到15.5GB，32GB的容量綽綽有余。

▼因為CPU的調(diào)用比較積極，威剛的萬紫千紅D5內(nèi)存頻率高且?guī)拑?yōu)勢明顯，在導(dǎo)入這些RAW格式圖片既無損視頻素材時沒有任何卡頓的感覺。

▼在日常使用中，通過主板XMP自動將內(nèi)存超頻到5200MHz，無論是素材的導(dǎo)入還是導(dǎo)出都沒有卡頓，畢竟Adobe旗下的生產(chǎn)力軟件對內(nèi)存還是比較敏感，放到D4內(nèi)存多少會有一些延遲或者卡頓的情況。

▼隨著導(dǎo)入素材的增加內(nèi)存占用還會增加，16GB的容量放到現(xiàn)在肯定沒有辦法滿足生產(chǎn)力的需求，隨便導(dǎo)入一些素材就達(dá)到10GB+，Adobe三件套肯定都是32GB起步了。

總結(jié)：

通過測試應(yīng)該可以看出來，這兩條威剛的萬紫千紅D5內(nèi)存對比D4內(nèi)存是全方位的碾壓，內(nèi)存頻率起步更高，自帶雙通道在數(shù)據(jù)交換時有明顯的性能優(yōu)勢。雖然是普條，但做工依舊保持了萬紫千紅系列的高標(biāo)準(zhǔn)，如果能搶到一套還是非常不錯的。

至于開頭的問題，D5內(nèi)存的起點就是D4內(nèi)存的終點，如果你已經(jīng)決定要上第12代CPU，在預(yù)算范圍內(nèi)，上D5版型才能發(fā)揮真正的性能。最后就是，如果真的買不到套條，要么做等等黨，要么先買一根，未來再升級，D4主板只能是過渡，明年大批量D5內(nèi)存上市，你手持D4主板就只能望洋興嘆。

ddr5內(nèi)存是什么意思

DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。

ddr5的指標(biāo)準(zhǔn)頻率在4800mbps，峰值頻率達(dá)到了6400mbps，因此性能強(qiáng)悍。ddr5和ddr4內(nèi)存相比，標(biāo)準(zhǔn)性能更加強(qiáng)大，功耗也是更低的。

和ddr4-3200相比，實際帶寬將會高出87%，這也是非常重要的性能之一。電壓也從1.2v降低到了1.1v，每個通道都是32/40位，總線效率也有所提高。

有必要上ddr5內(nèi)存嗎

可以的，首先是DDR5內(nèi)存理論性能提升巨大，實際體驗相差無幾，沒有必要盲目追求新的舍棄舊的。

DDR5內(nèi)存基于協(xié)議的更新，制造工藝和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型，使得全新DDR5世代下，內(nèi)存的基礎(chǔ)頻率大都以4800MHz左右為起步，和DDR4時代的2133/2400MHz的入門頻率相比，有了雙倍的提升；頻率的提升，使得DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無論是在讀取測試、寫入測試，還是復(fù)制、延時方面。從跑分結(jié)果而言，DDR5無疑是超前，提升更是巨幅的。

ddr5內(nèi)存：

1、等效率倍增，電腦跑的更快

DDR5最耀眼的技術(shù)升級就是等效頻率的提升，從2133MHz直接提升到了4800MHz，隨著目前對于DDR5的優(yōu)化調(diào)節(jié)，未來或能達(dá)到6400MHz。頻率的提升讓DDR5內(nèi)存的跑分有質(zhì)的飛躍，無論是在讀寫測試還是在復(fù)制黏貼上，DDR5的曲線圖無疑是最高的那個。

2、更低的工作電壓和更強(qiáng)的超頻

如果說性能的翻倍是最明顯的技術(shù)升級，那么后續(xù)的內(nèi)部技術(shù)和升級修正則是更深層次的超越。其中工作電壓就是其中一個重要部分。DDR5的工作電壓可以低至1/1V，與DDR4的1.2V相比，降低了 20%左右，這其中又有兩個意義。

第一個是功耗，對于筆記本電腦來說，降低了20%具有明顯的節(jié)能意義。第二個是超頻，降低了啟動電壓，可以讓后續(xù)的超頻參數(shù)有更大的空間去操作，以此來提升內(nèi)存的超頻潛力。

3、糾錯能力更強(qiáng)，運行更穩(wěn)定

現(xiàn)在隨著drAM芯片密度不斷增加，導(dǎo)致數(shù)據(jù)的泄漏和數(shù)據(jù)錯誤增加，尤其是企業(yè)級別的運作，為了可以避免數(shù)據(jù)錯誤頻繁發(fā)生，業(yè)界引入了ECC糾錯機(jī)制來規(guī)避風(fēng)險，達(dá)到提高可靠性和降低缺陷率。

新一代內(nèi)存DDR5帶來了哪些改變？

從增強(qiáng)現(xiàn)實到人工智能、云計算再到物聯(lián)網(wǎng)，5G正在燃爆新技術(shù)增長，同時也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來越大，隨之而來的是存儲和快速訪問需求，DDR5之類的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲、傳送和處理這些數(shù)據(jù)，推動著高速信令的極限，也給內(nèi)存帶來了前所未有的測試挑戰(zhàn)。

具體有哪些變化？ DDR5與DDR4差別很大，實際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個變化。

1. 速度更快！ 第一個，也是最重要的一個，數(shù)據(jù)速率達(dá)到6.4 Gbps，而DDR4最高只有3.2Gbps。規(guī)范中還有一條，在未來幾年內(nèi)把速度上限推高到8 Gbps以上。通道結(jié)構(gòu)與LPDDR4類似，ECC中也有兩條獨立的40位通道。還有更高的預(yù)讀取、更高的突發(fā)長度和更高的行列組，這些都提高了效率，實現(xiàn)了高速模式。

2. DDR5帶來的另一大變化是寫入不再居中。 DQS和DQ之間有固定的偏置，因此我們不能只在示波器上測量DQS和DQ之間的延遲，以推算出是讀還是寫。不再這么容易了！讀寫突發(fā)分隔都將變得更加復(fù)雜。

3. 新的時鐘抖動測量。 DDR5引入了Rj、Dj和Tj測量，代替了周期和周期間抖動測量。Rj指標(biāo)在最大數(shù)據(jù)速率下變得非常緊。優(yōu)秀的信號完整性對滿懷信心地測量這些參數(shù)變得至關(guān)重要。

4. 反嵌在更高的DDR5數(shù)據(jù)速率下將變得非常關(guān)鍵。 反嵌是一種移除探頭和內(nèi)插器負(fù)載的技術(shù)。它還用來把探測點以虛擬方式從DRAM球移到DRAM芯片，以使反射達(dá)到最小。我們想看到Rx看到的是什么。為成功地創(chuàng)建反嵌濾波器文件或傳遞函數(shù)，要求s-par文件，而且數(shù)量很多。想法是在SOC封裝、電路板模型、DRAM封裝、內(nèi)插器、探頭及IO設(shè)置中使用s-par模型，比如Tx驅(qū)動強(qiáng)度和Rx ODT (如有)，盡可能如實模擬DDR通道。如果沒有s-par模型，還可以使用簡單的傳輸線參數(shù)，如傳播延遲和特性阻抗，這通過在示波器屏幕上測量反射來實現(xiàn)。

5. 我們將第一次在接收機(jī)中有Rx均衡、4階DFE。 DDR5提高了數(shù)據(jù)速率，而不用把DQ總線遷移到差分信令，也就是說，DQ總線仍是單端的，與DDR3/4相同。然而，內(nèi)存通道有大量的阻抗失配點，由于反射而提高了整體ISI。在數(shù)據(jù)速率超過4800 Mbps時，DRAM球的數(shù)據(jù)眼圖預(yù)計會閉合。DDR5 DRAM Rx實現(xiàn)了4階DFE，幫助均衡DQ信號，在接收機(jī)鎖存數(shù)據(jù)后張開數(shù)據(jù)眼圖。此外，RCD的CA Rx還需要DFE，以確保可靠地捕獲信號。

6. DDR5另一個明顯變化是包括一條環(huán)回通道 ?？匆幌翫DR5的引腳圖，您會發(fā)現(xiàn)專用的DQS/DQ環(huán)回引腳。其用來實現(xiàn)獨立DRAM RX/TX表征。環(huán)回通道至關(guān)重要。事實上，我們正是通過環(huán)回通道，才知道接收機(jī)真正實時做了哪些位決策。它是所有不同接收機(jī)之間共享的一條單線，由于信號完整性差及其他原因，我們只能發(fā)回每第四個位或每第二個位，所以有充足的時間，能夠確保外部接收機(jī)或誤碼檢測器能夠以100%準(zhǔn)確度校驗片上Rx的質(zhì)量。

7. DDR5需要使用BERT和/或通用碼型發(fā)生器進(jìn)行獨立DRAM Rx/Tx測試。 這要求一套全新測試，包括電壓和頻率靈敏度及壓力眼圖測試，DDR3/4中是沒有這些測試的。概念很簡單，任何人都應(yīng)能夠使用標(biāo)準(zhǔn)化JEDEC夾具，根據(jù)JEDEC規(guī)定的測試程序，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)測試，確定DRAM Rx/TX的 健康 狀況。

8. 準(zhǔn)確的壓力校準(zhǔn)將成為DDR5 RX測試中的大問題， 而且要獲得準(zhǔn)確的S參數(shù)模型，這兩者都必須進(jìn)行估算并測量，包括所有段。另一個關(guān)鍵特性是能夠準(zhǔn)確地或很好地猜出測量深度及示波器記錄長度，這樣就不會浪費太多的時間。

9. DRAM Rx/Tx測試將面臨巨大的數(shù)據(jù)庫管理問題。 數(shù)量龐大的s-par文件、反嵌模型和測量結(jié)果的自動化和管理，將變成一個噩夢。想象一下，不同廠商多種DIMM配置，以不同速度等級測試80多個引腳，這將非常非常困難。

與DDR3/4相比，DDR5改善了帶寬、密度和通道效率。但數(shù)據(jù)傳送速率越高，信號速度越快，要求一致性測試、調(diào)試和驗證的測量性能越高。泰克 科技 去年7月推出TekExpress DDR5發(fā)射機(jī)解決方案，其改善了自動化程度，工程師可以克服各種DFE所帶來的分析挑戰(zhàn)，采用用戶自定義采集和DDR5去嵌技術(shù)及串行數(shù)據(jù)鏈路分析(SDLA)技術(shù)，滿懷信心地、高效地驗證和調(diào)試DDR5設(shè)計。了解DDR5固有的差異有助于高效檢驗和調(diào)試。

ddr5內(nèi)存頻率

ddr5內(nèi)存頻率如下：

1、ddr5內(nèi)存頻率不同廠商不太一樣，總體在2400-8400Mbps之間。

2、市場上比較常見的ddr5內(nèi)存頻率為：3600、4200、4400、4800、5200、5600、6000Mbps不等。

3、根據(jù)此前的JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)來看，ddr5的內(nèi)存頻率起跳標(biāo)準(zhǔn)為4800Mbps。

4、也有部分廠商的擁有高達(dá)8400Mbps內(nèi)存頻率的ddr5內(nèi)存條，只不過相對來說比較少一些，而且價格也更貴。