今天凡太百科給各位分享內(nèi)存條ddr4的知識，其中也會對內(nèi)存條ddr4和ddr3可以共用嗎進行解釋，如果能碰巧解決你現(xiàn)在面臨的問題，別忘了關(guān)注本站，現(xiàn)在開始吧！

ddr3和ddr4的內(nèi)存條有什么區(qū)別？

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格，和DDR3相比最大區(qū)別有三點：\x0d\x0a1、16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），也就說同樣工作頻率下理論速度是DDR3的兩倍；\x0d\x0a2、更加可靠的傳輸規(guī)范，也就是數(shù)據(jù)可靠性提高；\x0d\x0a3、工作電壓降為1.2V，更節(jié)能，發(fā)熱量降低。\x0d\x0a對用戶而言，16bit預(yù)取機制是最大的體現(xiàn)，可以提高速度。但支持DDR4內(nèi)存的主板和CPU目前價格還高，而且在更新?lián)Q代的今天，升級其實也是愿望而已，就算目前買了DDR4，到時候可能會因為頻率上的升級，導(dǎo)致目前購買的DDR4到時候成為雞肋。比如當時的DDR3 800用到目前的DDR3 1600上，你會如何取舍。\x0d\x0a個人覺得沒必要考慮升級這么多，目前DDR3與DDR4差價，足夠以后添置容量更大速度更快的內(nèi)存了。

現(xiàn)在市場上流行的內(nèi)存條ddr4是()線的

現(xiàn)在市場上流行的內(nèi)存條ddr4是284線。根據(jù)查詢相關(guān)公开信息顯示，DDR4的內(nèi)存條，指是284線。內(nèi)存想要插到主板上就需要通過引腳。內(nèi)存引腳有2種封裝，一種叫做球形引腳封裝，還有一種是普通封裝。球形封裝工藝比較高，在散熱和抗干擾上要強于普通封裝。DDR，又稱雙倍速率SDRAM。DDR4內(nèi)存將會擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由于通過一個DRAM實現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會同時存在基于傳統(tǒng)SE信號和差分信號的兩種規(guī)格產(chǎn)品。

DDR3內(nèi)存條和DDR4有什么不一樣，還有DDR3L什么意思

一、DDR3內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條不一樣的方面：

1、規(guī)格不同：

DDR3內(nèi)存條：起始頻率有800MHz，最高頻率可達2133MHz。

DDR4內(nèi)存條：起始頻率有2133MHz，最高頻率可達3000MHz。

3、內(nèi)存容量不同：

DDR3內(nèi)存條：最大單條可達64GB的容量。

DDR4內(nèi)存條：最大單條容量為128GB。

4、功耗不同：

DDR3內(nèi)存條：工作電壓為1.5V，耗電較多，而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻，影響性能。

DDR4內(nèi)存條：工作電壓多為1.2V甚至更低，更少的用電量和更小的發(fā)熱，提升了內(nèi)存條的穩(wěn)定性。

二、DDR3L的意思：

這里的DDR3后面的字母“L”，代表的是Low Voltage的縮寫。DDR3L全稱是DDR3 Low Voltage，就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標準版的DDR3內(nèi)存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。

DDR3L低電壓內(nèi)存條一般主要用在筆記本、服務(wù)器等設(shè)備上，普通臺式電腦很少使用這種低電壓內(nèi)存條。

擴展資料：

選擇DDR3和DDR4內(nèi)存條需要注意的事項：

1、選擇內(nèi)存條前，首先查看電腦主板是否支持DDR3或DDR4內(nèi)存條，有沒有相應(yīng)的DDR3和DDR4內(nèi)存條插槽。

2、內(nèi)存容量和頻率的選擇，目前DDR4內(nèi)存的容量有4G、8G的，DDR4內(nèi)存的頻率有2133MHZ、2400MHZ、2666MHZ、2800MHZ等。根據(jù)電腦所支持的配置進行選擇。

3、DDR3和DDR4互不兼容，無法一同使用。

DDR4與DDR3有什么區(qū)別？

【概括而言，區(qū)別如下】：\x0d\x0a\x0d\x0a1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀\x0d\x0a2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266MHz\x0d\x0a3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達128GB\x0d\x0a\x0d\x0a4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低\x0d\x0a\x0d\x0a【詳細區(qū)別包括以下5方面】：\x0d\x0a\x0d\x0a一、頻率和電壓\x0d\x0a\x0d\x0a在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當大的提升。在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預(yù)計最低可以做到1.2V。\x0d\x0a\x0d\x0a二、傳輸機制\x0d\x0a\x0d\x0a相對于DDR3，DDR4的一大改進就體現(xiàn)在信號傳輸機制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統(tǒng)SE信號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )技術(shù)。\x0d\x0a\x0d\x0a三、訪問機制\x0d\x0a\x0d\x0a對于DDR3內(nèi)存來說，目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問機制已經(jīng)改為了點對點技術(shù)，這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計。點對點相當于一條主管道只對應(yīng)一個水箱（這種機制的改變其實并不會對傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因為主管道的大小并沒有改變），這樣設(shè)計的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計、更容易達到更高的頻率。\x0d\x0a\x0d\x0a四、封裝技術(shù)\x0d\x0a\x0d\x0aDDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。\x0d\x0a\x0d\x0a五、外觀\x0d\x0a\x0d\x0aDDR3內(nèi)存金手指是240個，內(nèi)存金手指是平直的；而DDR4內(nèi)存金手指是284個，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。

內(nèi)存條DDR3和DDR4的區(qū)別，還有1333和1600的區(qū)別？

一、內(nèi)存條中DDR3和DDR4的區(qū)別的區(qū)別如下：

1、功耗不同

DDR4是當前市場上最新一代的內(nèi)存，而DDR3是老一代的內(nèi)存，在用電功耗上，DDR4功耗比較低，而老款的DDR3功耗就比較高了。

2、兼容能力不同

主板上面的內(nèi)存插槽都是向下兼容，也就是最新的主板不僅可以兼容DDR4，也可以兼容DDR3，而一些以前的主板，只能兼容DDR3，不能兼容DDR4。

3、最高頻率不同

DDR3作為上一代的內(nèi)存，它能支持的最高頻率只到2800，而DDR4的最高頻率可以達到4200。

二、1333和1600指的是內(nèi)存條的頻率，他們唯一的區(qū)別就是頻率不同。