lpddr4x和lpddr5區(qū)別大不大 lpddr5對(duì)比ddr4實(shí)際體驗(yàn)區(qū)別大嗎？很多人不了解，今天各百科為大家?guī)?lái)相關(guān)內(nèi)容，下面小編為大家整理介紹。

作為2022的旗艦SoC代表，高通的新驍龍8和聯(lián)發(fā)科的天機(jī)9000無(wú)疑實(shí)力強(qiáng)勁。天機(jī)9000雖然量產(chǎn)較晚，但整體能效比更好，實(shí)際游戲性能甚至高于新驍龍8。聯(lián)發(fā)科的高端反擊終于看到了曙光。

天機(jī)9000向后兼容LPDDR5內(nèi)存

其中，相比新驍龍8，天機(jī)9000有一個(gè)必殺技能，就是第一時(shí)間支持全新的LPDDR5X內(nèi)存標(biāo)簽。不幸的是，這不是強(qiáng)制性的。首批上市的天機(jī)9000手機(jī)，如OPPO Find X5 Pro天機(jī)版，依然標(biāo)配LPDDR5內(nèi)存，今晚發(fā)布的紅米K50天機(jī)9000版也是如此。

那么，作為傳說(shuō)中的下一代內(nèi)存，LPDDR5X有什么特別之處呢？

從LPDDR5到LPDDR5X的進(jìn)化

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)于2019年2月發(fā)布，2020年與驍龍865移動(dòng)平臺(tái)正式量產(chǎn)。兩個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)都早于PC平臺(tái)的DDR5內(nèi)存，讓智能手機(jī)體驗(yàn)到了“首發(fā)”和“獨(dú)占”的感覺(jué)。其實(shí)上一代LPDDR4(LPDDR4X)也早于DDR4登陸消費(fèi)市場(chǎng)，這說(shuō)明智能手機(jī)的技術(shù)迭代速度已經(jīng)在一定程度上超越了PC。

由于DDR5內(nèi)存的預(yù)取預(yù)讀位數(shù)也升級(jí)到了16位，幾乎所有性能指標(biāo)都優(yōu)于LPDDR5。當(dāng)然除了功耗，DDR5的VDDQ電壓還是1.1V，而LPDDR5的VDDQ電壓進(jìn)一步降低到0.5V

LPDDR5和LPDDR4X之別

與上一代LPDDR4X相比，LPDDR R5在三個(gè)方面進(jìn)行了升級(jí)。首先，LPDDR4X只支持單庫(kù)組模式，而LPDDR R5支持多庫(kù)組模式，可以理解為數(shù)據(jù)傳輸從單通道到多通道的變化，進(jìn)一步提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸?；其次，LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率從4266 mt/s先后提升到5500 mt/s和6400 mt/s，傳輸帶寬進(jìn)一步提升。最后，LPDDR R5的VDDQ電壓比LPDDR4X低0.1V。它還引入了DVFSC和DVFSQ功能，可以低速切換到更低的0.3V電壓，進(jìn)一步降低功耗。

問(wèn)題來(lái)了。當(dāng)一部手機(jī)內(nèi)置了容量和速度相同的LPDDR5內(nèi)存芯片時(shí)，它們的性能是否相同？

答案自然是否定的。

以三星為例，其LPDDR5內(nèi)存包含至少兩種三種容量的晶圓版本，如D1y工藝的8Gb和12Gb，D1z工藝(極紫外EUV光刻)的12Gb和16Gb。新工藝可以使晶圓尺寸比上一代縮小18%左右，功耗也略有降低。

另外，以上內(nèi)存芯片的容量單位均為Gb，每個(gè)8Gb、12G、16Gb芯片的實(shí)際容量分別為1GB、1.5GB、2GB。

智能手機(jī)看似只有一個(gè)內(nèi)存芯片，實(shí)際上是由多個(gè)芯片堆疊封裝而成。以16GB LPDDR5內(nèi)存條為例。可以用8個(gè)D1y 12Gb芯片和4個(gè)D1y 8Gb芯片封裝，也可以直接用8個(gè)D1z 16Gb芯片封裝。就性能而言，后一種芯片明顯更好，可以進(jìn)一步減少發(fā)熱、功耗和對(duì)手機(jī)內(nèi)部空間的侵占。

全新LPDDR5X的變化

全新LPDDR5X是JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)在2021年7月底正式發(fā)布的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是由JEDEC的JC-42.6低功耗存儲(chǔ)器小組委員會(huì)開(kāi)發(fā)的。它是LPDDR5的可選擴(kuò)展，專(zhuān)注于提高性能、功耗和靈活性。旨在提高包括5G通信性能、汽車(chē)的高分辨率增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)和使用AI的邊緣計(jì)算在內(nèi)的應(yīng)用場(chǎng)景的內(nèi)存性能。與現(xiàn)有滿血的LPDDR5-6400內(nèi)存相比，LPDDR5X有以下三點(diǎn)改進(jìn)：

1.帶寬從6400MT/s提升到8533 mt/s；

2.TX/RX均衡提高了信號(hào)完整性；

3.通過(guò)新的自適應(yīng)刷新管理提高可靠性。

Lpr5 x向后兼容Lpr5簡(jiǎn)化了SoC的開(kāi)發(fā)周期，支持新的內(nèi)存平臺(tái)，在市場(chǎng)上可以共存互補(bǔ)。需要注意的是，并非所有5G SoC都支持LPDDR5X-8533內(nèi)存的“滿血版”。比如聯(lián)發(fā)科天機(jī)9000暫時(shí)只支持LPDDR5X-7500，但即便如此，其性能也比滿血版LPDDR5-6400快17%，延遲低15%。

目前三星和美光都實(shí)現(xiàn)了LPDDR5X內(nèi)存的量產(chǎn)。其中三星的LPDDR5X采用14nm DRAM技術(shù)，單芯片容量可達(dá)16Gb，最高可形成64GB容量的規(guī)格。官方稱(chēng)，其能耗比LPDDR5降低約20%，旨在促進(jìn)包括5G、AI和元宇宙在內(nèi)的高速數(shù)據(jù)服務(wù)應(yīng)用的進(jìn)一步增長(zhǎng)。

美光比三星快了一步。是業(yè)內(nèi)第一家送樣驗(yàn)證業(yè)內(nèi)最快最先進(jìn)移動(dòng)存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體廠商。已經(jīng)出貨了首批基于1 nodes的LPDDR5X樣片(版本7500MT/s)，也完成了美光的LPDDR5X DRAM內(nèi)存在聯(lián)發(fā)科天機(jī)9000平臺(tái)上的驗(yàn)證。

至于三星和美光的LPDDR5X內(nèi)存誰(shuí)更強(qiáng)？這種全新的內(nèi)存顆粒能為下一代旗艦手機(jī)提升多少性能？我們還需要等到實(shí)際產(chǎn)品量產(chǎn)上市后才能做出準(zhǔn)確的判斷。讓我們一起期待吧。