有網(wǎng)友問gddr5技術(shù)細(xì)節(jié)有哪些?
第一、GDDR5和GDDR4一樣基于DDR3 SDRAM改造而來(lái)，基本存儲(chǔ)器架構(gòu)和DDR3相若，存儲(chǔ)器預(yù)取也是相同的8n設(shè)置。所謂的“預(yù)取”，及存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)器數(shù)組傳輸率與輸出/輸入（I/O）訪問傳輸率的比值，“8n”代表I/O緩沖器一次讀取存儲(chǔ)器數(shù)組中8位的數(shù)據(jù)，提升存儲(chǔ)器外部的傳輸速度。
第二、GDDR5為了增大帶寬并降低延時(shí)，避免出現(xiàn)GDDR4那樣高帶寬但高延時(shí)的情況，與DDR3相比，GDDR5顯示存儲(chǔ)器使用了DQ并行雙數(shù)據(jù)總線，相當(dāng)于提供了在GDDR3的基礎(chǔ)上多加了一條通道，而GDDR3顯示存儲(chǔ)器、DDR3存儲(chǔ)器卻只有一條通道；另外，GDDR5采用時(shí)鐘頻率分離的設(shè)計(jì)，地址與命令總線采用其中一組時(shí)鐘頻率信號(hào)，而數(shù)據(jù)總線則采用另外獨(dú)立的一組，且為地址與命令總線時(shí)鐘頻率的兩倍。所以GDDR5的理論速度可達(dá)DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的兩倍，5GT/s以上的高傳輸率（亦即坊間所謂的5GHz高頻）變成可能，通過高頻率有可能使一款128bit的顯卡性能超過DDR3的256bit顯卡。
第三、相比GDDR3或GDDR4顯示存儲(chǔ)器而言工作電壓從1.8V降為電壓僅有1.5V，還具有新電源管理技術(shù)，功耗更低。且GDDR3使用的為80nm制程，而GDDR5為55nm，制程的提高使芯片的體積縮小，發(fā)熱量也可以低許多。
第四、一般GDDR5需搭配PCI-E以上規(guī)格的顯卡才有支持。但Sony新一代家庭游戲機(jī)PlayStation 4也使用了GDDR5，其搭載由AMD定制的APU，配合HSA，可直接使用GDDR5作為數(shù)據(jù)訪問使用。
第五、廠商標(biāo)示的是數(shù)據(jù)頻率，數(shù)據(jù)頻率相等于運(yùn)作頻率的4倍。6000MHz GDDR5的實(shí)際運(yùn)作頻率是1500MHz。DDR記億體會(huì)于一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，DQ并行雙總線也令數(shù)據(jù)傳輸量倍增。
以上就是對(duì)于gddr5技術(shù)細(xì)節(jié)有哪些的相關(guān)內(nèi)容。
